Samsung начинает производство 280-слойной памяти QLC V-NAND 9-го поколения, которая сделает SSD дешевле и более плотными

Samsung объявила о начале массового производства новых 280-слойных чипов флэш-памяти QLC NAND с использованием технологии V-NAND 9-го поколения. Эти чипы имеют размер 1 терабит (Тб) и на 86% плотнее, чем QLC V-NAND последнего поколения от Samsung.

С новыми чипами Samsung может обеспечить большую емкость данных на кремниевую пластину. Это делает эти новые чипы более дешевыми в производстве по принципу стоимость/бит, что может позволить Samsung создавать более дешевые или более плотные SSD. По сравнению с 232-слойной QLC NAND от Micron, новая NAND от Samsung, как сообщается, на 50% более плотная в хранении.

Samsung утверждает, что ее новый QLC NAND 9-го поколения более надежен и производительнее, чем NAND последнего поколения. Говорят, что производительность хранения данных увеличилась на 20%. Кроме того, скорость ввода/вывода данных увеличилась на 60%. Потребление энергии также значительно возросло.

Запуск успешного массового производства памяти QLC V-NAND 9-го поколения всего через четыре месяца после версии TLC позволяет нам предлагать полную линейку передовых решений SSD, отвечающих потребностям эпохи искусственного интеллекта. Поскольку рынок корпоративных твердотельных накопителей демонстрирует быстрый рост и растет спрос на приложения с искусственным интеллектом, мы продолжим укреплять свое лидерство в этом сегменте с помощью наших модулей памяти V-NAND QLC и TLC 9-го поколения. – Сунг Хой Хур, исполнительный вице-президент и руководитель отдела флэш-продукции и технологий в Samsung Electronics

Поскольку массовое производство этой 3D NAND только началось, неизвестно, когда память появится в готовом продукте. Несомненно, она будет использоваться для создания SSD корпоративного класса с большей емкостью для рынка серверов. Тем не менее, со временем она может попасть в SSD, ориентированные на потребителя.